磨削和研磨等磨料处理是生产半导体芯片的必要方式，然而研磨会导致芯片表面的完整性变差。因此，抛光的一致性、均匀性和表面粗糙度对生产芯片来说是十分重要的。
研磨与抛光的区别
研磨利用涂敷或压嵌在研具上的磨料颗粒，通过研具与工件在 压力下的相对运动对加工表面进行的精整加工。研磨可用于加工各种金属和非金属材料，加工的表面形状有平面，内、外圆柱面和圆锥面，凸、凹球面，螺纹，齿面及其他型面。加工精度可达IT5～IT1，表面粗糙度可达Ra0.63～0.01微米。
抛光是利用机械、化学或电化学的作用，使工件表面粗糙度降低，以获得光亮、平整表面的加工方法。
两者的主要区别在于：抛光达到的表面光洁度要比研磨更高，并且可以采用化学或者电化学的方法，而研磨基本只采用机械的方法，所使用的磨料粒度要比抛光用的更粗，即粒度大。故生产芯片，研磨抛光都是必不可少的一个方式。
一. 研磨处理
利用硬度比被加工材料更高的微米级颗粒，在硬质研磨盘作用下产生微切削，实现被加工芯片表面的微量材料去除，使工件的尺寸精度达到要求。
磨料：研磨液通常使用1微米以上颗粒由表面活性剂、PH调节剂、分散剂等组分组成，各组分发挥着不同的作用。
为了满足研磨工艺要求，研磨液应具有：
1）良好的悬浮性，短时间内不能产生沉淀，分层等问题。
2）良好的流动性，粘度低，易于操作。
3）稀释能力强，便于降低成本，方便运输。
4）研磨工艺后，便于清洗研磨盘。
5)良好的润滑性，在研磨工艺上降低划伤点。
研磨时磨料的工作状态：
1）研磨颗粒在家具与研磨盘之间发生滚动，产生滚轧效果。
2） 研磨颗粒压入到盘磨盘表面，实现微切削加工。
需要注意的地方：
1）研磨后肉眼观察无任何划伤后才可进行抛光，如有划伤应是研磨料被污染，应清洗盘磨盘、夹具、导流槽等。清洗后再研磨可解决划伤问题。
2）研磨芯片时如出现一致性较差和均匀性较差，可测量研磨盘平整度，修盘后可解决。
二.抛光处理
利用微细磨料的物理研磨和化学腐蚀，在软质抛光布辅助作用下，未获得光滑表面，减小或消除加工变质层，从而获得表面高质量的加工方法。
抛光布开槽作用：储存多余抛光液，防止抛光液堆积产生损伤；作为向工件供给抛光液的通道；作为及时排废屑的通道，防止划伤。
影响抛光的工艺的因数：抛光盘转速、夹具压力、抛光时间以及抛光液的浓度和流速等，如：
1）加工速度过高，会因离心力将抛光液甩出工作区，降低加工稳定性，影响精度。精加工应用低速、低压力。
2）在范围内增加夹具压力可提高抛光效率，压力减小可减小表面粗糙度。
3）抛光液的浓度增加，抛光速率增加，但可能会引起质量恶化。
4）抛光液的流速过大，会导致橘皮现象。可增加蠕动泵控制流速
抛光后表面如有残留物，可用清水抛光5分钟解决脏污问题
值得一提的是，在研磨抛光处理中研磨液和抛光液是极其重要的，其既能提高速率、平整度、一致性，有利于后续清洗，使得研磨粒子不会残留在粒子表面。